得一微电子存储分析部总监叶敏发表演讲。

内容介绍：闪存存储设备在经历多次P/E cycle后可靠性会降低，导致需要更多的Read Retry进行错误校正，从而导致读性能严重下降。因此，Read Retry方法的优化对闪存读取性能至关重要。叶敏博士的演讲将引领我们深入探索创新性动态Read Retry方法，探讨分析如何提高3D NAND的可靠性，实现3D NAND几乎0次Read Retry，以及更好的性能控制和耐磨管理，以提高存储芯片的寿命与性能。